半导体分立器件是电子设备的焦点根本元件，普遍使用于消费电子、收集通信、汽车电子、工业电子等多个范畴。它们正在电中承担整流、放大、稳压、开关等功能，是电子设备不成或缺的构成部门。虽然集成电手艺成长敏捷，但分立器件正在某些使用场景中仍具有不成替代的劣势半导体分立器件财产的成长间接鞭策了下逛使用范畴的手艺前进和财产升级。例如，正在新能源汽车范畴，功率半导体分立器件是实现高效电能转换和节制的环节部件。此外，5G通信、消费电子等行业对高机能分立器件的需求也不竭增加。中国半导体分立器件颠末了60多年的成长和堆集，成绩了全球半导体分立器件财产制制的地位。从1950年代创立到1970年代的成长；到1990年代，跟着国际出产的大转移和跨国公司的大举进入，中国制制业地位的，均使我国半导体分立器件财产无论正在出产规模、出产手艺、从动化程度以及品种规格方面都取得了长脚的前进，产物品种规格添加、质量提高、出口扩大，从而鞭策我国半导体分立器件财产全面成长；进入2000年代，得益于全球电子零件对节能、环保的需求，我国半导体分立器件财产送来了新的成长契机，一方面带到了分立器件产物的需求增加，一方面带动了市场产物布局的快速调整。到了2010年代，跟着通信和汽车电子等高端市场的快速成长，更是带动了分立器件产物布局的升级。按照SEMI的数据，2016-2024年期间，中国半导体分立器件产量呈波动增加趋向，虽然2023年，遭到半导体市场下逛需求增加放缓的影响，2023年达到统计时间段内的峰值，为7875亿只。功率半导体分立器件指额定电流不低于1A，或额定功率不低于1W的半导体分立器件。功率半导体分立器件能够进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三类，此中BIT、GTR、SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的范畴内。功率二极管具有布局和道理简单、工做靠得住的劣势；而功率晶闸管承受电压和电流容量正在所有器件中最高；MOSFET的劣势正在于开关速度快、输入高、热不变性好、所需驱率小且驱动电简单、工做频次高以及不存正在二次击穿问题等方面；IGBT则具有开关速度高、开关耗小、具有耐脉冲电流冲击的能力、通态压降较低、输入高、为电压驱动以及驱率小等长处。按照Statista的数据，正在新能源汽车、5G、消费电子等行业需求的拉动下，2019-2024年期间，中国功率器件行业市场规模呈波动上升趋向，初步统计2024年市场规模接近1800亿元。更多本行业研究阐发详见前瞻财产研究院《全球及中国MOSFET(功率器件)行业成长前景取投资计谋规划阐发演讲》。